• Низкий фильтр, выбор (Гц)

        80, -18 дБ/окт

      • Высокий фильтр, выбор (Гц)

        80, -12 дБ/окт

      • Макс. конфигурация каналов при 4 Ом (Вт)

        4 x 60

      • Макс. конфигурация каналов при 2 Ом (Вт)

        4 x 65

      • Конфигурация мин. канала при 4 Ом (Вт)

        1 x 130

      • Макс. конфигурация канала при 2 Ом (Вт) / THD (%)

        4 x 65 / 0,1

      • Макс. конфигурация канала при 4 Ом (Вт) / THD (%)

        4 x 60 / 1,0

      • Конфигурация мин. канала при 4 Ом (Вт) / THD (%)

        130 / 0,1

      • Макс. конфигурация каналов при 4 Ом (Вт)

        4 x 110

      • Макс. конфигурация каналов при 2 Ом (Вт)

        2 x 150

      • Конфигурация мин. канала при 4 Ом (Вт)

        1 x 300

      • Диапазон воспроизводимых частот (Гц)

        5 - 50000

      • Коэффициент искажений при 1 кГц (%)

        0,005

      • Допуск (дБ)

        0 / -3

      • Отношение сигнал/шум (дБ)

        97

      • Система MOSFET Output Stage

        НЕТ

      • Линейный вход: Чувствительность на входе (В)

        0,3 - 6

      • Позолоченные разъемы

        ДА

      • Сбалансированный входной ток

        ДА

      • Вес (приблиз., кг)

        3,1

      • Потребляемый ток (А) - номинальная выходная мощность при 4 Ом

        33

      • Источник питания MOSFET

        ДА

      • Количество входных каналов - моно

        4

      • Линейный выход

        НЕТ

      • Кольцевой трансформатор

        ДА

      • Ввод уровня громкости АС

        ДА

      • Поддерживается двойной режим

        НЕТ

      • Возможная нагрузка (Ом)

        2

      • Инфразвуковой фильтр низких частот (Гц)

        нет

      • Прибл. высота (мм)

        55

      • Прибл. ширина (мм)

        396

      • Прибл. глубина (мм)

        265